Samsung Electronics, ileri bellek teknolojisinde öncü olarak, 9. nesil dikey NAND (V-NAND) için seri üretime başladığını duyurdu. Bu yeni nesil V-NAND, üç seviyeli hücre (TLC) yapısıyla 1 terabit (Tb) kapasite sunuyor ve NAND flash pazarındaki liderliğini pekiştiriyor.
Samsung, 9. nesil V-NAND’in ilk seri üretimine başladı
Samsung, 9. nesil V-NAND ile önceki nesle göre yaklaşık %50 daha yüksek bit yoğunluğuna ulaştı. Şirket, bu nesilde endüstrinin en küçük hücre boyutunu ve en ince kalıbını kullanarak üretkenliği artırdı. Gelişmiş “kanal deliği aşındırma” teknolojisi, çift katmanlı yapı ile hücre katmanlarının sayısını artırarak üretim verimliliğini yükseltiyor.
V-NAND’deki yenilikler, hücreler arası etkileşimi azaltırken ürün kalitesini ve güvenilirliğini artırmak üzere tasarlandı. Bu nesil ayrıca, 3.2 gigabit/saniyeye kadar veri giriş/çıkış hızlarını destekleyen yeni nesil NAND flash arayüzü “Toggle 5.1” ile donatılmış. Bu yüksek performans, Samsung’un katı hal sürücü (SSD) pazarındaki konumunu güçlendirmeyi hedeflerken, PCIe 5.0 desteğini de genişleteceğini gösteriyor.
Enerji tüketimi, düşük güçlü tasarım sayesinde önceki nesle göre %10 oranında azaldı. Bu, çevresel etkiyi azaltırken, müşterilerin enerji verimliliği taleplerini karşılamaya yardımcı olur. Samsung, 1Tb TLC 9. nesil V-NAND’in seri üretimine bu ay başladı ve ikinci yarıda dört seviyeli hücre (QLC) modelini piyasaya sürmeyi planlıyor.
Bu gelişmeler, Samsung’un NAND flash pazarındaki liderliğini pekiştirirken, aynı zamanda yapay zeka ve yüksek performanslı veri işleme gibi alanlar için de yeni fırsatlar sunuyor. Samsung’un 9. nesil V-NAND’i, yüksek performans ve düşük enerji tüketimi ile endüstride yeni standartlar oluşturabilir. Bu, şirketin gelecekteki bellek teknolojileri için güçlü bir temel oluşturma misyonunu yansıtır.
